IRLR3110ZTRPBF vs IRFR3411TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3110ZTRPBF por Infineon e IRFR3411TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3110ZTRPBF IRFR3411TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,55
FET Type N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm 44 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET HEXFET Power MOSFET (IR)
Nível MSL 1 (Unlimited) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
Livre de halogênio Yes —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Número de pinos — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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