IRLR3110ZTRPBF vs IRFR3411TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3110ZTRPBF par Infineon et IRFR3411TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3110ZTRPBF IRFR3411TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,55
FET Type N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm 44 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET HEXFET Power MOSFET (IR)
Niveau MSL 1 (Unlimited) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
Sans halogène Yes —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Nombre de broches — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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