IRLR3410TRRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3410TRRPBF por Infineon y IRLR3410TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,65
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 17 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 79 W —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 105 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1 V (at 250 uA) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Technology IR HEXFET (IR MOSFET process) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Packaging Style Tape & Reel Right (TRR) —
Avalanche Rated Yes Yes (UIS tested)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)

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