IRLR3410TRRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRRPBF par Infineon et IRLR3410TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,65
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 17 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 79 W —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 105 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1 V (at 250 uA) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Technology IR HEXFET (IR MOSFET process) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Packaging Style Tape & Reel Right (TRR) —
Avalanche Rated Yes Yes (UIS tested)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)

Fiches techniques et ressources

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