IRLR3410TRRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3410TRRPBF por Infineon e IRLR3410TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,65
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 17 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 79 W —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 105 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1 V (at 250 uA) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Technology IR HEXFET (IR MOSFET process) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Packaging Style Tape & Reel Right (TRR) —
Avalanche Rated Yes Yes (UIS tested)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)

Fichas técnicas e recursos

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