IRLR3636TRPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3636TRPBF por Infineon y IRLR3636TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3636TRPBF IRLR3636TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,38 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C 50 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C [DATA_NEEDED: I_D at 100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V 6.8 mOhm —
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V 5.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] —
Total Gate Charge (Q_G) 33 nC —
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C 143 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

Hojas de datos y recursos

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