IRLR3636TRPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3636TRPBF par Infineon et IRLR3636TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3636TRPBF IRLR3636TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,38 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C 50 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C [DATA_NEEDED: I_D at 100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V 6.8 mOhm —
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V 5.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] —
Total Gate Charge (Q_G) 33 nC —
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C 143 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

Fiches techniques et ressources

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