IRLZ44NPBF vs IRLZ44ZPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLZ44NPBF por Infineon y IRLZ44ZPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLZ44NPBF IRLZ44ZPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $1,15
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) 1.0 V to 2.5 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 24 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
Encapsulado TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB
Tipo de montaje Through Hole Through-Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLZ44ZPBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 51 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 13.5 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — 22 mOhm
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Power Dissipation (PD) — 80 W
Gate Drive Level — Logic-Level (4.5V to 10V)
Qualification — Automotive (per manufacturer description)

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