IRLZ44NPBF vs IRLZ44ZPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLZ44NPBF par Infineon et IRLZ44ZPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLZ44NPBF IRLZ44ZPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $1,15
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) 1.0 V to 2.5 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 24 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB
Type de montage Through Hole Through-Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLZ44ZPBF
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 51 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 13.5 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — 22 mOhm
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Power Dissipation (PD) — 80 W
Gate Drive Level — Logic-Level (4.5V to 10V)
Qualification — Automotive (per manufacturer description)

Fiches techniques et ressources

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