IRLZ44NPBF vs IRLZ44ZPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLZ44NPBF от Infineon и IRLZ44ZPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLZ44NPBF | IRLZ44ZPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,68 | $1,15 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) | 1.0 V to 2.5 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | 24 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 110 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.4 °C/W | — |
| Корпус | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB |
| Тип монтажа | Through Hole | Through-Hole |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (fully enhanced at VGS=5V) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLZ44ZPBF |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 51 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 13.5 mOhm |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | 22 mOhm |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Power Dissipation (PD) | — | 80 W |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level (4.5V to 10V) |
| Qualification | — | Automotive (per manufacturer description) |