IRLZ44NPBF vs IRLZ44ZPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLZ44NPBF por Infineon e IRLZ44ZPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLZ44NPBF IRLZ44ZPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $1,15
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) 1.0 V to 2.5 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 24 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB
Tipo de montagem Through Hole Through-Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLZ44ZPBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 51 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 13.5 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — 22 mOhm
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Power Dissipation (PD) — 80 W
Gate Drive Level — Logic-Level (4.5V to 10V)
Qualification — Automotive (per manufacturer description)

Fichas técnicas e recursos

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