IRS2011STRPBF vs IR21834STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2011STRPBF por Infineon y IR21834STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2011STRPBF IR21834STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $1,05
Función Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-Bridge
Número de salidas 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune Yes
Encapsulado 8-SOIC (DSO-8) 14-SOIC (3.90 mm width)
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Input Type — Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 1.9 A
Peak Sink Current — 2.3 A
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Propagation Delay — 180 ns (typical)
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Packaging — Tape & Reel

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