IRS2011STRPBF vs IR21834STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2011STRPBF от Infineon и IR21834STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRS2011STRPBF IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR21834STRPBF IR21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR21834STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRS2011STRPBF IR21834STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,55 $1,05
Функция Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-Bridge
Количество выходов 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune Yes
Корпус 8-SOIC (DSO-8) 14-SOIC (3.90 mm width)
Рабочая температура -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Input Type — Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 1.9 A
Peak Sink Current — 2.3 A
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Propagation Delay — 180 ns (typical)
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Packaging — Tape & Reel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену