IRS2011STRPBF vs IR21834STRPBF 比較

詳細な並列比較: IRS2011STRPBF メーカー: Infineon および IR21834STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRS2011STRPBF IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF ✓ 生産中
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IR21834STRPBF IR21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR21834STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRS2011STRPBF IR21834STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $1.05
機能 Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-Bridge
出力数 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune Yes
パッケージ 8-SOIC (DSO-8) 14-SOIC (3.90 mm width)
動作温度 -40 C to +125 C -40 C to +125 C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Input Type — Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 1.9 A
Peak Sink Current — 2.3 A
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Propagation Delay — 180 ns (typical)
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Packaging — Tape & Reel

データシート&リソース

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