IRS2112STRPBF vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2112STRPBF por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2112STRPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,88 $1,05
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL —
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) —
Encapsulado 16-pin SOIC wide-body SOIC-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Nivel MSL 2 (1 year floor life) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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