IRS2112STRPBF vs IR2109SPBF 比較

詳細な並列比較: IRS2112STRPBF メーカー: Infineon および IR2109SPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRS2112STRPBF IRS2112STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2112STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2112STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRS2112STRPBF IR2109SPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.88 $1.05
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL —
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) —
パッケージ 16-pin SOIC wide-body SOIC-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40 C to +125 C —
MSLレベル 2 (1 year floor life) —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
立ち上がり時間 — 200 ns
立ち下がり時間 — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
動作接合温度 — -40 C to +150 C

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼