IRS2112STRPBF vs IR2109SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2112STRPBF 제조: Infineon 및 IR2109SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2112STRPBF IR2109SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.88 $1.05
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL —
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) —
패키지 16-pin SOIC wide-body SOIC-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
MSL 레벨 2 (1 year floor life) —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
상승 시간 — 200 ns
하강 시간 — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

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