IRS2112STRPBF vs IR2109SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2112STRPBF par Infineon et IR2109SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2112STRPBF IR2109SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,88 $1,05
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL —
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) —
Boîtier 16-pin SOIC wide-body SOIC-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Niveau MSL 2 (1 year floor life) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Temps de montée — 200 ns
Temps de descente — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

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