ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC008N06LM6ATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC008N06LM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Estilo de montaje Surface Mount, Tape & Reel —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Sin halógenos Yes —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Encapsulado — PG-TDSON-8 FL
Tipo de montaje — Surface Mount
Número de pines — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Estado RoHS — Compliant

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