ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC008N06LM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISC151N08NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC008N06LM6ATMA1 ISC008N06LM6ATMA1 - 60V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC008N06LM6ATMA1 - 60V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC008N06LM6ATMA1 ✓ 生産中
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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC008N06LM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
実装スタイル Surface Mount, Tape & Reel —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
ハロゲンフリー Yes —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
パッケージ — PG-TDSON-8 FL
実装タイプ — Surface Mount
ピン数 — 8
Channel Mode — Enhancement
動作温度 — -55 °C to +175 °C
RoHS ステータス — Compliant

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