ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC008N06LM6ATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC008N06LM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Style de montage Surface Mount, Tape & Reel —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Sans halogène Yes —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Boîtier — PG-TDSON-8 FL
Type de montage — Surface Mount
Nombre de broches — 8
Channel Mode — Enhancement
Température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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