ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC008N06LM6ATMA1 от Infineon и ISC151N08NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC008N06LM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,82 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc | 378 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 221 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| Package Type | PG-TDSON-8 (Surface Mount) | — |
| Способ монтажа | Surface Mount, Tape & Reel | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS / Lead-Free Status | RoHS Compliant, Lead-Free | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Корпус | — | PG-TDSON-8 FL |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Количество выводов | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Рабочая температура | — | -55 °C to +175 °C |
| Статус RoHS | — | Compliant |