K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WE-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WG-BCWE por Samsung Electronics y K4A4G085WE-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,68 | $1,36 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | 2400 Mbps |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organización de memoria | — | 512M x 8 |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |