K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WE-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics et K4A4G085WE-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,68 | $1,36 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | 2400 Mbps |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Boîtier | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |