K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WE-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WE-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.68 | $1.36 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin | 2400 Mbps |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 8 |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |