K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WG-BCWE por Samsung Electronics y MT40A512M8RH-075E:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G085WG-BCWE MT40A512M8RH-075E:B
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,68 $2,15
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
Velocidad de datos 3200 Mbps/pin 2666 MT/s (DDR4-2666)
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology D-die DDR4 —
Encapsulado FBGA-78 (BCW) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Interfaz Parallel (DDR4) —
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray —
Density — 4 Gbit
Organización de memoria — 512M x 8
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Tipo de interfaz — Parallel
I/O Structure — 1.2V pseudo open-drain
Tensión de referencia — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

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