K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M8RH-075E:B 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WG-BCWE | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.68 | $2.15 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (BCW) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 8 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 기준 전압 | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |