K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics et MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A4G085WG-BCWE MT40A512M8RH-075E:B
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,68 $2,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
Débit de données 3200 Mbps/pin 2666 MT/s (DDR4-2666)
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology D-die DDR4 —
Boîtier FBGA-78 (BCW) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel (DDR4) —
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray —
Density — 4 Gbit
Organisation de la mémoire — 512M x 8
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Type d'interface — Parallel
I/O Structure — 1.2V pseudo open-drain
Tension de référence — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

Fiches techniques et ressources

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