K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A512M8RH-075E:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WG-BCWE | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.68 | $2.15 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| パッケージ | FBGA-78 (BCW) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| メモリ構成 | — | 512M x 8 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| インターフェースタイプ | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 基準電圧 | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |