K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,25 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Recuento de pines | 78 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Sin halógenos | — | Yes |