K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICR par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,25 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Nombre de broches | 78 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Sans halogène | — | Yes |