K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,20 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 78-pin FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 3200 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Interfaz | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latencia CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |