K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BIWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WC-BIWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.20 | $6.29 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | 78-pin FBGA | 78-FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 3200 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| 인터페이스 | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS 레이턴시 | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |