K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics y H5AN8G6NAFR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,55 | $0,12 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |