K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NAFR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.55 | $0.12 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| パッケージ | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |