K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics und H5AN8G6NAFR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,55 | $0,12 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |