K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,55 $12,57
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
Organización de memoria 512M x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps 2400 Mbps (PC4-19200)
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Access Time (CAS Latency) 19 ns —
Interfaz Parallel DDR4 (Double Data Rate, synchronous)
Encapsulado 96FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C -40C to +95C
Burst Length 8 —
Bank Group Architecture Yes —
On-Die Termination (ODT) Yes, dynamic ODT with ZQ calibration —
Functions Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead Free Yes —
Tamaño de memoria — 8 Gb (1 GB)
Memory Organization — 512M x 16
Technology — CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die
Ball Pitch — 0.8 mm
On-Die Termination — Yes (ODT with dynamic ODT)
ZQ Calibration — Yes
CRC / CA Parity — Yes (CRC function)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

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