K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.55 | $12.57 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| インターフェース | Parallel | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| パッケージ | 96FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |