K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,55 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |