K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics e K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,55 | $12,57 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Encapsulamento | 96FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |