K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCPB por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WB-BCWE
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,31 $6,55
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
Velocidad de datos DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 3200 Mbps
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Interfaz DDR4 (16-bit data bus) Parallel
Encapsulado 96-ball FBGA (TFBGA) 96FBGA
Die Generation C-die (1Y nm class) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C 0C to +85C
Características Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Termination On-die termination (ODT), dynamic —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Density — 8 Gb
Organización de memoria — 512M x 16
Access Time (CAS Latency) — 19 ns
Burst Length — 8
Bank Group Architecture — Yes
On-Die Termination (ODT) — Yes, dynamic ODT with ZQ calibration
Functions — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask
Lead Free — Yes

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