K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCPB par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,31 | $6,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Débit de données | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Interface | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Caractéristiques | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Lead Free | — | Yes |