K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,31 | $6,55 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Lead Free | — | Yes |