K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.31 | $6.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| 인터페이스 | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel |
| 패키지 | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0C to +85C |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Lead Free | — | Yes |