K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $23,00 | $12,57 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | -40C to +95C |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Interfaz | 16-bit I/O | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Estado RoHS | — | Compliant |