K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $23,00 | $12,57 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | -40C to +95C |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Interface | 16-bit I/O | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |