K4A8G165WC-BCTD vs MT40A512M16LY-062E-ATE Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCTD por Samsung Electronics y MT40A512M16LY-062E-ATE por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WC-BCTD MT40A512M16LY-062E-ATE
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $41,20 $34,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Velocidad de datos 2666 Mbps (DDR4-2666) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Tensión de alimentación 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.6 GHz
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C -40C to +105C (automotive)
Encapsulado 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Die Revision C-die —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes (240 ohm resistor to GND) Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Access Time — 19 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VPP) — 2.5 V
Ball Pitch — 0.8 mm
Speed Grade — -062E (0.625 ns tCK)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Data Mask — Yes (DM)
Refresh Mode — Auto self-refresh

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización