K4A8G165WC-BCTD vs MT40A512M16LY-062E-ATE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M16LY-062E-ATE 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCTD | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $41.20 | $34.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.6 GHz |
| 동작 온도 | 0C to +95C | -40C to +105C (automotive) |
| 패키지 | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Data Mask | — | Yes (DM) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |