K4A8G165WC-BCTD vs MT40A512M16LY-062E-ATE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCTD von Samsung Electronics und MT40A512M16LY-062E-ATE von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ AktivMicron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCTD | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $41,20 | $34,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.6 GHz |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | -40C to +105C (automotive) |
| Gehäuse | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Data Mask | — | Yes (DM) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |