K4A8G165WC-BCTD vs MT40A512M16LY-062E-ATE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCTD par Samsung Electronics et MT40A512M16LY-062E-ATE par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCTD | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $41,20 | $34,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.6 GHz |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | -40C to +105C (automotive) |
| Boîtier | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Data Mask | — | Yes (DM) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |